Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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Numéro de pièce: | DB3 | VBO: | 28-36V |
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Paquet: | SMA/DO-214AC | La température de jonction: | -40~+110°C |
d'emballage: | Bande dans la bobine | Expédition par: | DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mer |
Surligner: | db3 diac diode,db3 diac trigger diode |
Diode bidirectionnelle de déclencheur de DIAC de silicium DB3 SMA avec le paquet extérieur de bâti
Caractéristiques
1. Basse fuite inverse
2. Capacité de crête en avant élevée
3. Soudure à hautes températures garantie : 250℃/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm)
Données mécaniques
·Terminaux : Terminaux axiaux plaqués
·Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
·Position de montage : Quels
Capacités absolues
Symboles | Paramètre | Valeur | Unité | |
DB3 | ||||
PC |
Dissipation de puissance sur imprimé Circuit [L=10mm] |
TA=50℃ | 150 | mW |
ITRM |
Sur-état maximal répétitif Actuel |
tp=10us F=100Hz |
2,0 | A |
TSTG/TJ | Stockage et les 0 températures de jonction perating | -40 à +125/-40 110 | ℃ |
Caractéristiques électriques
Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Valeur | Unité | |
Tension de suite | VBO | MINIMAL. | 28 | V | |
TYPE. | 32 | ||||
MAXIMUM. | 36 | ||||
Symétrie de tension de suite | |VBO1-VBO2| | C=22nF ** | MAXIMUM. | ±3 | V |
Voltage* dynamique de suite | △V | VBO et VF à 10mA | MINIMAL. | 5 | V |
Voltage* de sortie | VO | voir le diagramme 2 (R=20Ω) | MINIMAL. | 5 | V |
Current* de suite | IBOS | C=22nF ** | MAXIMUM. | 100 | μA |
Time* de hausse | TR | MAXIMUM. | 1,5 | μs | |
Current* de fuite | IR | VR=0.5VBO maximum | MAXIMUM. | 10 | μA |
Notes : caractéristiques 1.Electrical applicables dans en avant et directions inverses.
2.Connected parallèlement aux dispositifs.
Taille :
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Personne à contacter: Bixia Wu